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Bellesini, Mirko (2010) Caratterizzazione mediante misure dinamiche e di elettroluminescenza di dispositivi AlGaN/GaN HEMT con elettrodo di gate trasparente. [Laurea specialistica biennale]

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Abstract

In questo lavoro di tesi si sono studiate, principalmente attraverso misure di elettoluminescenza e prove dinamiche, le caratteristiche di dispositivi HEMT su GaN dotati di struttura di gate innovativa (ITO e Ni/ITO) confrontandole con quelle di dispositivi con gate tradizionale in Ni/Au/Ni. La particolarità dei dispositivi misurati è appunto il tipo di materiale con cui è costruito lo stack di gate; l'ITO (Indium Tin Oxide), infatti, è noto per la sua trasparenza. Questa particolarità permette dunque di indagare, attraverso le misure di elettroluminescenza, sulla regione attiva sotto al gate: zona molto importante per capire i meccanismi di degrado di questo tipo di dispositivi. I dispositivi misurati appartenevano tutti allo stesso wafer (il V080404CF) fornito dall'University of California di Santa Barbara (UCSB); su questo wafer metà dei campioni presenti erano dotati di strato di passivazione superficiale: è stato possibile, quindi, anche valutare i vantaggi della passivazione. Entrando nel dettaglio delle misure di elettroluminescenza effettuate, si sono andati a produrre i tipici grafici a “campana”; si è valutato cioè l'entità dell'emissione prodotta in funzione dello stato di polarizzazione del dispositivo. Questi grafici si sono fatti per le varie “geometrie” di campioni disponibili sul wafer, cercando così di stabilire, in particolare, una relazione tra la distanza gate-drain LGD e la quantità di fotoni emessi dal dispositivo. Per quanto riguarda la caratterizzazione dinamica dei dispositivi si è proseguito con il lavoro già fatto in una precedente tesi di laurea; si è andati a valutare fenomeni di collasso di corrente e shift di tensione di soglia ricavandoli dai grafici delle caratteristiche di uscita e transcaratteristiche ID-VG fatti a diverse tensioni VDS. Si sono eseguite, infine, misure C-V sui diodi a larga area per valutare gli effetti di intrappolamento di carica; una prova di questa misura fatta illuminando il dispositivo con una fonte luminosa di una data energia può dare un'idea del livello energetico delle trappole superficiali presenti.

Tipologia del documento:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Informazioni aggiuntive:Embargo per motivi di segretezza e di proprietà dei risultati e informazioni sensibili
Parole chiave:elettroluminescenza, AlGaN/GaN hemt, gate trasparente, ito
Settori scientifico-disciplinari del MIUR:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:22933
Relatore:Meneghesso, Gaudenzio
Data della tesi:08 Marzo 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca Interdipartimentale di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:

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