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Barbisan, Diego (2010) Characterization and reliability of advanced GaN-LED structures: LEDs on silicon and DEEP-UV LEDs. [Laurea specialistica biennale]

Full text disponibile come:

[img]PDF
Tesi non accessibile fino a 20 April 2109 per motivi correlati alla proprietà intellettuale. Visibile a: Repository staff only

11Mb

Abstract

Caratterizzazione e affidabilità di LED con avanzate strutture basate sul nitruro di gallio: LED su substrato di silicio e LED con emissione nel profondo ultravioletto

Item Type:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Additional Information:Embargo permanente per motivi di segretezza e di proprietà dei risultati e informazioni di enti esterni o aziende private che hanno partecipato alla realizzazione del lavoro di ricerca relativo alla tesi
Uncontrolled Keywords:GaN LED, duv, silicon, gallio
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:23533
Relatore:Zanoni, Enrico
Data della tesi:20 April 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

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