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Di Biccari, Leonardo (2010) Characterization of ESD protection structures for 65 nm CMOS technology. [Laurea specialistica biennale]

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Abstract

ESD phenomena are well known to be extremely dangerous for microelectronic devices. This thesis deals with failures induced by ESD phenomena, starting from the description of main charging events up to the physics beyond the operation of different devices under high current regime. Novel implementations developed in the last years to increase the devices behavior under ESD event was introduced.

Item Type:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Uncontrolled Keywords:ESD, protection structures, CMOS technology
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:23536
Relatore:Meneghesso, Gaudenzio
Data della tesi:20 April 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

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