Vai ai contenuti. | Spostati sulla navigazione | Spostati sulla ricerca | Vai al menu | Contatti | Accessibilità

logo del sistema bibliotecario dell'ateneo di padova

Corraini, Sebastiano (2010) Studio dei fenomeni di degradazione di dispositivi HEMT su GaN sottoposti a stress in corrente. [Laurea specialistica biennale]

Full text disponibile come:

[img]
Preview
PDF
7Mb

Abstract

In questo lavoro di tesi è stato studiato l’effetto di degradazione di dispositivi HEMT su Nitruro di Gallio per applicazioni di potenza nel campo delle microonde (da 300 MHz a 300 GHz), in particolare analizzando l’effetto di una polarizzazione a corrente costante. La valutazione di degrado è stata realizzata mediante la caratterizzazione in DC, misure dinamiche e di elettroluminescenza

Item Type:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Uncontrolled Keywords:GaN HEMT, stress in corrente
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:25053
Relatore:Meneghesso, Gaudenzio
Data della tesi:13 July 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

Solo per lo Staff dell Archivio: Modifica questo record