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Ballarin, Giuseppe (2010) Progettazione in tecnologia Smart Power 0.18um di elementi e circuiti di protezione per le scariche elettrostatiche secondo standard Charge Device Model. [Laurea specialistica biennale]

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Abstract

La tesi, svoltasi presso lo stabilimento di Agrate (MI) del gruppo STM, ha investigato la differente robustezza di protezioni singole e circuiti di protezione a fenomeni ESD di tipo Charge Device Model. Il lavoro si è focalizzato sullo studio di dispositivi MOSFET da 0.18µm presentati in diverse configurazioni e dimensionamenti. Dopo una preliminare caratterizzazione delle protezioni in DC e vf-TLP si è provveduto ad analizzare l’efficacia delle stesse rispetto a elementi da proteggere durante fenomeni di tipo Charge Device Model. Il lavoro si è concluso facendo delle failure analisys per vedere quali parti dei dispositivi risultavano danneggiate

Tipologia del documento:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Parole chiave:ESD, CDM, Charge Device Model, Smart Power, CMOS 0.18µm, vf-TLP
Settori scientifico-disciplinari del MIUR:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:25413
Relatore:Meneghesso, Gaudenzio
Data della tesi:13 Luglio 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca Interdipartimentale di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:

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