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Silvestri , Riccardo (2010) Studio della robustezza di HEMT su GaN mediante stress accelerati. [Laurea specialistica biennale]

Full text disponibile come:

[img]PDF
Tesi non accessibile fino a 07 December 2109 per motivi correlati alla proprietà intellettuale. Visibile a: Repository staff only

10Mb

Item Type:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Additional Information:Embargo permanente per motivi di segretezza e di proprietà dei risultati e informazioni di enti esterni o aziende private che hanno partecipato alla realizzazione del lavoro di ricerca relativo alla tesi
Uncontrolled Keywords:HEMT, GaN, robustezza, stress
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:26527
Relatore:Meneghesso, Gaudenzio
Data della tesi:07 December 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

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