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Giaretta, Lauro (2010) Meccanismi di degradazione in switch RF-MEMS per applicazioni spaziali sottoposti a stress impulsivi. [Laurea specialistica biennale]

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Abstract

Lo scopo di questa tesi è lo studio dei meccanismi di degradazione degli switch sottoposti a stess impulsivi. Il fine è quello di trovare un modo per accelerare i fenomeni di microwelding per testare eventuali sistemi di restoring. I dispositivi usati sono RF-MEMS resistivi di tipo serie e shunt prodotti da FBK-IRST di Trento e disegnati dall'ARCES-DEIS di Bologna e dall'Università di Perugia

Item Type:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Uncontrolled Keywords:RF-MEMS, stress impulsivi, microwelding
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:26529
Relatore:Meneghesso, Gaudenzio
Data della tesi:07 December 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

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