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Cappellari, Elisa (2010) Simulazioni per lo studio degli effetti da evento singolo su SRAM con ISE TCAD. [Laurea specialistica biennale]

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Abstract

Nell’elaborato viene sviluppata una panoramica generale sulle radiazioni ionizzanti e sulla loro interazione con la materia. Come è noto, questa interazione può causare danni di diversa tipologia ed entità. Si analizzano quindi, essendo l’interesse focalizzato sugli effetti da evento singolo, i meccanismi fisici più comuni che li generano nelle diverse tipologie di dispositivi microelettronici, dalle memorie ai circuiti combinatori, per poi descrivere i modelli con i quali solitamente vengono modellizzati a seconda di come avviene il trasporto dei portatori al loro interno. L’analisi sperimentale di tali effetti risulta complessa e costosa, così la simulazione risulta essere un utile strumento. Nell’elaborato si riporta lo studio della LET di soglia di una cella SRAM utilizzando ISE TCAD, fornendo le metodologie per tale analisi e una breve panoramica sui vari tools del software

Item Type:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Uncontrolled Keywords:SEE, simulazioni, ISE TCAD
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:26562
Relatore:Paccagnella, Alessandro
Data della tesi:06 December 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

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