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De Brida, Christian (2010) Gallium nitride simulations using Sentaurus software. [Laurea specialistica biennale]

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Abstract

Questa attività di tesi, svolta in NXP Semiconductors R&D – Belgio in collaborazione con il DEI, ha avuto come oggetto l’ottenimento di modelli di simulazione per strutture HEMT in GaN/AlGaN, usando il software Sentaurus by Synopsys versione 2010.03. Prima di tutto sono state svolte simulazioni sia DC (IdVg, IdVd) che AC (Cgg) in modo tale da calibrare i nostri modelli basandoci su delle misure effettuate nei laboratori di NXP. In questa fase sono state aggiunte trappole nel dispositivo e variando la concentrazione e l’energia di attivazione di queste ultime è stato ottenuto un ottimo matching fra caratteristiche sperimentali e simulazioni. Partendo da questi modelli si è cercato poi di implementare un nuovo modello di mobiità calibrato per il GaN, usando l’interfaccia C++ del simulatore. Simulazioni di gate leakage sono state effettuate per cercare di dare una spiegazione a questo fenomeno, il quale impatta negativamente sulle prestazioni di questi dispositivi. Infine si è cercato di studiare la distribuzione del campo elettrico nel canale, variando la lunghezza del Field Plate

Item Type:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Uncontrolled Keywords:GaN, AlGaN, HEMT, simulations, DC simulations, AC simulations, leakage simulations
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:26568
Relatore:Zanoni, Enrico
Data della tesi:06 December 2010
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

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