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Dal Santo, Gabriele (2012) Analisi dei meccanismi di degrado e stima del Time-to-Breakdown di eterostrutture AlGaN/GaN sottoposte a stress in condizioni di off-state. [Laurea specialistica biennale]

Full text disponibile come:

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19Mb

Abstract

Vengono studiati e sottoposte a misure eterostrutture AlGAN/GaN. In particolare diodi schottky di gate e GaN HEMTs, per lo studio di un nuovo meccanismo di degrado e per l'analisi del time to breakdown mediante stress a tensione costante (off-state stress)

Item Type:Laurea specialistica biennale
Corsi di Laurea specialistica biennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria elettronica
Additional Information:Embargo permanente per motivi di segretezza e di proprietà dei risultati e informazioni di enti esterni o aziende private che hanno partecipato alla realizzazione del lavoro di ricerca relativo alla tesi
Uncontrolled Keywords:GaN, stress, breakdown, degrado
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:40189
Relatore:Meneghesso, Gaudenzio
Data della tesi:17 July 2012
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text

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