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Cherubin, Matteo (2012) Memorie magnetiche integrate. [Laurea triennale]

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Abstract

Tra le NVM, nel passato hanno avuto una grande diffusione le memorie a Floating Gate (EPROM, EEPROM, Flash), ma poiché si è raggiunto un limite nella scalabilità di tali dispositivi, è stato necessario svilupparne di alternativi, ad esempio basati sull’utilizzo di nanocristalli (memorie a nanocristalli), di leghe di calcogenuri (memorie a cambiamento di fase), di materiali ferroelettrici (memorie ferroelettriche) o ferromagnetici (memorie magnetiche).Tra le diverse tipologie di memorie non volatili, in questo elaborato vengono analizzate le memorie magnetiche ad accesso casuale (MRAM), che memorizzano le informazioni sotto forma di un campo magnetico. Saranno descritte e confrontate tra loro, le diverse modalità di scrittura dei dati in tali memorie, passando dalla tecnica del campo di commutazione, alle Toggle MRAM, ed infine alle STT-MRAM. È stata fatta inoltre una ricerca sulle tecniche di produzione di MRAM ad alta densità, e sulle principali memorie presenti attualmente in commercio, prodotte dalla compagnia Everspin Technologies

Tipologia del documento:Laurea triennale
Corsi di Laurea Triennale:Scuola di Ingegneria > Ingegneria dell'informazione
Parole chiave:MRAM
Settori scientifico-disciplinari del MIUR:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:40827
Relatore:Paccagnella, Alessandro
Data della tesi:28 Settembre 2012
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text

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