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Miccoli, Beatrice (2012) AffidabilitĂ  di SRAM e microprocessori in ambiente spaziale. [Laurea triennale]

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Abstract

In tale elaborato, dopo una breve introduzione sull’architettura dei microprocessori e dei loro principali componenti, verrà dato particolare rilievo ai meccanismi che si instaurano nei circuiti integrati, in particolare nei transistor MOSFET, in seguito all’impatto con le radiazioni. Successivamente verranno proposte numerose tecniche di hardening sia riguardanti l’utilizzo di un particolare processo di fabbricazione sia focalizzate su una riorganizzazione del layout. Tali tecniche riguarderanno sia i singoli transistor, sia i componenti base che si ritrovano all’interno dei microprocessori come ad esempio le memorie SRAM e i registri

Tipologia del documento:Laurea triennale
Corsi di Laurea Triennale:Scuola di Ingegneria > Ingegneria dell'informazione
Settori scientifico-disciplinari del MIUR:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:40842
Relatore:Paccagnella, Alessandro
Data della tesi:28 Settembre 2012
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text

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