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Belgioioso, Giuseppe (2012) Ossidi ad alta costante dielettrica come dielettrico di gate per transistor MOS. [Laurea triennale]

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Abstract

Lo scaling dei transitor MOS ha portato lo strato Diossido di Silicio, usato come dielettrico di gate, verso spessori talmente ridotti (1.4 nm) da rendere eccessiva la corrente di perdita. E’ necessario rimpiazzare il SiO2 con uno strato più spesso di un ossido ad alta costante dielettrica k (ossido high-k). Questa tesi discute i criteri fondamentali per la scelta di un ossido high-k: valore della costante k, band offset con il silicio, stabilità termodinamica e compatibilità alle alte temperature dei processi di fabbricazione. Successivamente vengono mostrati alcuni problemi derivanti dall’utilizzo di high-k all’interno dei MOSFET, come la riduzione della mobilità e l’instabilità della tensione di soglia. Infine viene spiegata l’importanza della struttura a contatto diretto ossido/silicio, realizzabile con un ossido di Lantanio, che permette di continuare lo scaling verso spessori di dielettrico inferiori

Tipologia del documento:Laurea triennale
Corsi di Laurea Triennale:Facoltà di Ingegneria > Ingegneria dell'informazione
Parole chiave:transistor, MOSFET, ossidi high-k
Settori scientifico-disciplinari del MIUR:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:40892
Relatore:Paccagnella, Alessandro
Data della tesi:28 Settembre 2012
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca Interdipartimentale di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text

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