I meccanismi di off-state breakdown e di rottura in forward bias dei dispositivi GaN HEMT sono tutt'ora oggetto di studi. Obiettivo di questa tesi è perciò quello di indagare i fenomeni di rottura dei transistor di tre diversi wafer. Per studiare i meccanismi di degrado off-state ci si è avvalsi di stress in tensione e corrente mentre per le indagini in forward bias solo di stress in tensione

Studio del breakdown di dispositivi GaN HEMT di potenza

Cibin, Giulia
2013/2014

Abstract

I meccanismi di off-state breakdown e di rottura in forward bias dei dispositivi GaN HEMT sono tutt'ora oggetto di studi. Obiettivo di questa tesi è perciò quello di indagare i fenomeni di rottura dei transistor di tre diversi wafer. Per studiare i meccanismi di degrado off-state ci si è avvalsi di stress in tensione e corrente mentre per le indagini in forward bias solo di stress in tensione
2013-04-22
breakdown, GaN, HEMT
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/16601