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Rigato, Matteo (2014) Study of influence of bulk on break-down and trapping phenomena in power AlGaN/GaN MIS-HEMTs grown on Si-substrate. [Magistrali biennali]

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Abstract

This thesis work is based on the study of trapping phenomena in power HEMTs based on Gallium-Nitride (GaN). In particular, MIS-HEMT devices are studied and characterized. The main features of these devices are: MIS structure at gate contact, double heterostructures, Silicon substrate. Measurements performed: DC characterization, double pulse, stress and recovery transients, back-gating measurements, breakdown in off-state, on-the-fly measurements

Item Type:Magistrali biennali
Corsi di Diploma di Laurea:Scuola di Ingegneria > Ingegneria Elettronica
Scuola di Ingegneria > Ingegneria Elettronica
Additional Information:Embargo per motivi di segretezza e/o di proprietà dei risultati e informazioni di enti esterni o aziende private che hanno partecipato alla realizzazione del lavoro di ricerca relativo alla tesi
Uncontrolled Keywords:HEMT
Subjects:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Codice ID:45692
Relatore:Zanoni, Enrico
Correlatore:Meneghini, Matteo and Bisi, Davide
Data della tesi:15 April 2014
Biblioteca:Polo di Ingegneria > Biblioteca di Ingegneria dell'Informazione e Ingegneria Elettrica "Giovanni Someda"
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

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