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Baruffaldi, Filippo (2015) Caratterizzazione pre e post irraggiamento di transistor in tecnologia CMOS 65 nm. [Laurea triennale]

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Abstract

E' stata studiata la risposta di transistor PMOS e NMOS, in una tecnologia commerciale CHOS 65 nm, ad effetti di total ionizing dose fino a 1Grad (SiO2)

Item Type:Laurea triennale
Corsi di Laurea Triennale:Scuola di Scienze > Fisica
Uncontrolled Keywords:Total ionizing dose(TID), MOSFET
Subjects:Area 02 - Scienze fisiche > FIS/01 Fisica sperimentale
Codice ID:50093
Relatore:Bisello, Dario
Data della tesi:September 2015
Biblioteca:Polo di Scienze > Dip. Fisica e Astronomia "Galileo Galilei" - Biblioteca
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:Yes

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