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De Gaspari, Davide (2016) Effetti della Radiazione su transistor in Tecnologia CMOS 28nm. [Laurea triennale]

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Abstract

In This work the resistance of CMOS transistors was tested against the effects of the irradiations. The divices were irradiated with X ray in the worst bias condition. After it, the parameters of usage of the devices were compared with the same parameters before irradiation trying to understand what happened and how this devices reacted to the irradiation.

Tipologia del documento:Laurea triennale
Corsi di Laurea Triennale:Scuola di Scienze > Fisica
Parole chiave:PMOS, NMOS, TID, RINCE, correnti di Leakage
Settori scientifico-disciplinari del MIUR:Area 02 - Scienze fisiche > FIS/01 Fisica sperimentale
Codice ID:53931
Relatore:Giubilato, Piero
Data della tesi:Dicembre 2016
Biblioteca:Polo di Scienze > Dip. Fisica e Astronomia "Galileo Galilei" - Biblioteca
Tipo di fruizione per il documento:on-line per i full-text
Tesi sperimentale (Si) o compilativa (No)?:

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