In questa tesi, frutto di un anno di tirocinio al CERN, vengono esposte le problematiche presenti nei dispositivi MOSFET esposti a livelli ultra-elevati di dose ionzizante. Tali effetti si verificano unicamente in un'ambiente al mondo: LHC. La tesi si concentra su un fenomeno ritenuto assente nelle tecnologie MOSFET: la sensibilità al dose-rate. Tassi di irraggiamento piu' bassi producuono a parità di TID danni estremamente piu elevati rispetto ad irraggiamenti piu veloci.

Degradation and Dose-Rate Dependence in Decananometer MOSFETs Exposed to Ultra-High Levels of Total Ionizing Dose

Costanzo, Sebastiano
2019/2020

Abstract

In questa tesi, frutto di un anno di tirocinio al CERN, vengono esposte le problematiche presenti nei dispositivi MOSFET esposti a livelli ultra-elevati di dose ionzizante. Tali effetti si verificano unicamente in un'ambiente al mondo: LHC. La tesi si concentra su un fenomeno ritenuto assente nelle tecnologie MOSFET: la sensibilità al dose-rate. Tassi di irraggiamento piu' bassi producuono a parità di TID danni estremamente piu elevati rispetto ad irraggiamenti piu veloci.
2019-09-10
TID
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
sebastiano_costanzo_tesi.pdf

accesso aperto

Dimensione 5.1 MB
Formato Adobe PDF
5.1 MB Adobe PDF Visualizza/Apri

The text of this website © Università degli studi di Padova. Full Text are published under a non-exclusive license. Metadata are under a CC0 License

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12608/23974